PUNTOS IMPORTANTES:
- Samsung ha desarrollado el chip HBM3E 12H, el de mayor capacidad hasta la fecha, mejorando el rendimiento y la capacidad en más del 50%.
- Este avance es crucial para la era de la IA, satisfaciendo la demanda de memorias de alta capacidad por parte de los proveedores de servicios de IA.
- La producción en masa del HBM3E 12H está planificada para la primera mitad de 2024, marcando un hito importante en la industria de chips de memoria.
Samsung Electronics anunció el martes que ha desarrollado un nuevo chip de memoria de banda ancha (HBM) que tiene la “mayor capacidad hasta la fecha” en la industria.
El gigante surcoreano de los chips afirmó que el HBM3E 12H “mejora tanto el rendimiento como la capacidad en más del 50%”.
“Los proveedores de servicios de IA de la industria están requiriendo cada vez más HBM con mayor capacidad, y nuestro nuevo producto HBM3E 12H ha sido diseñado para responder a esa necesidad”.
Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo de planificación de productos de memoria en Samsung Electronics.
Avances en memoria para la IA
“Esta nueva solución de memoria forma parte de nuestro impulso hacia el desarrollo de tecnologías clave para HBM de alta pila y proporcionar liderazgo tecnológico para el mercado de HBM de alta capacidad en la era de la IA”.
Bae
Samsung Electronics es el mayor fabricante del mundo de chips de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM), que se utilizan en dispositivos de consumo como smartphones y computadoras.
Los modelos de IA generativa, como el ChatGPT de OpenAI, requieren un gran número de chips de memoria de alto rendimiento. Dichos chips permiten a los modelos de IA generativa recordar detalles de conversaciones pasadas y preferencias de los usuarios para generar respuestas similares a las humanas.
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Durante una llamada con analistas, el CEO de Nvidia, Jensen Huang, dijo que la compañía podría no ser capaz de mantener este nivel de crecimiento o ventas durante todo el año.
“A medida que las aplicaciones de IA crecen exponencialmente, se espera que el HBM3E 12H sea una solución óptima para sistemas futuros que requieran más memoria. Su mayor rendimiento y capacidad permitirán especialmente a los clientes gestionar sus recursos de manera más flexible y reducir el costo total de propiedad para los centros de datos”.
Samsung Electronics.
Samsung ha comenzado a enviar muestras del chip a los clientes y la producción en masa del HBM3E 12H está planeada para la primera mitad de 2024.
Perspectivas del mercado y producción
“Supongo que la noticia será positiva para el precio de las acciones de Samsung.
Samsung estaba detrás de SK Hynix en HBM3 para Nvidia el año pasado. Además, Micron anunció la producción en masa de HBM3E 8L de 24GB ayer. Supongo que asegurará el liderazgo en el producto HBM3E de mayor densidad (36GB) basado en capas superiores (12L) para Nvidia”.
SK Kim, director ejecutivo de Daiwa Securities.
En septiembre, Samsung aseguró un acuerdo para suministrar a Nvidia con sus chips de memoria de banda ancha de tercera generación, según un informe de Korea Economic Daily, que citó fuentes anónimas de la industria.
El informe también dijo que SK Hynix, el segundo mayor fabricante de chips de memoria de Corea del Sur, estaba liderando el mercado de chips de memoria de alto rendimiento. SK Hynix era anteriormente conocido como el único productor en masa de chips HBM3 suministrados a Nvidia, según el informe.
Samsung dijo que el HBM3E 12H tiene un apilado de 12 capas, pero aplica una avanzada película de compresión térmica no conductiva que permite que los productos de 12 capas tengan la misma especificación de altura que los de 8 capas para cumplir con los requisitos actuales del paquete HBM. El resultado es un chip que empaca más potencia de procesamiento, sin aumentar su huella física.
“Samsung ha continuado reduciendo el grosor de su material NCF y logró mantener la especificación de altura a pesar de aumentar el número de capas”.
